HBM2E是一种高性能记忆功能降低功耗和一个小的形式因素。它结合了2.5 d包装与更广泛的接口时钟速度较低(比GDDR6)提供更高的整体吞吐量更高bandwidth-per-watt效率AI /毫升和HPC应用程序。
Rambus HBM2E控制器支持HBM2和HBM2E设备的数据率高达3.6 Gbps销数据。它支持所有标准的通道密度包括4、6、8、12、16和24 Gb。通过有预见性的控制器内存带宽最大化和最小化延迟命令处理。核心发展类金融机构兼容(HBM2E添加了扩展)和支持阿喜或本机接口用户逻辑。
Rambus HBM2E接口是完全符合电平HBM2E JESD235标准。它支持数据速率3.6 Gbps销/数据。接口特性8个独立通道,每个包含128位数据宽度为1024位。由此产生的带宽461 GB / s /堆栈,堆栈组成的2、4、8、12后发展出。
2.5 d系统的接口是设计的插入器用于路由信号之间的3 d DRAM堆栈和PHY SoC。这种组合的信号密度和堆积形式因素需要特殊设计的考虑。为了使简单的实现和改进设计的灵活性,Rambus执行完整的信号和电源完整性分析整个2.5 d系统确保所有信号,电力和热能需求得到满足。
Rambus HBM2E PHY和HBM2E控制器一起使用组成一个完整的HBM2E内存接口子系统。另外,这些核心可以单独许可搭配3理查德·道金斯方HBM2E控制器或PHY解决方案。
对于AI和HPC应用程序,HBM2E内存可以提供优秀的带宽、容量和延迟在一个非常紧凑的足迹由于其2.5 d /三维结构。另一方面是相同的结构会导致更大的设计复杂性和提出了一套新的实现的考虑。
协议 | 数据速率(Gbps)马克斯。 | 应用程序 |
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HBM2E | 3.6 | AI /毫升,高性能计算和数据中心 |
HBM2 | 2 | AI /毫升,高性能计算和数据中心 |