DDR内存接口子系统的IP

提供高带宽内存性能

DDR内存控制器层和物理层的IP

Rambus DDR4 DDR3控制器、PHY和内存接口子系统提供高带宽和功率效率,同时提供完整的兼容性与DDR4 DDR3行业标准。
版本 最大数据速率(MT / s) 控制器 体育
DDR4 3200年 下载DDR4控制器产品简短产品简短 下载DDR4 PHY产品简短产品简短
DDR4多* 2400年 下载DDR4控制器产品简短产品简短 下载DDR4综合产品简短产品简短
DDR3 2133年 下载DDR3控制器产品简短产品简短 下载DDR3综合产品简短产品简短

*支持DDR4, DDR3 LPDDR3和销售由

DDR控制器IP

功能 DDR4控制器 DDR3控制器
数据速率(吨/ s) 1600年到3200年 800年到2133年
时钟操作 Half-rate和quarter-rate 批量和half-rate
银行管理 多达32个银行 多达32个银行
内部功能支持 3 ds设备配置
写儿童权利公约
数据总线反演(DBI)
细粒度更新
添加剂的延迟
Per-DRAM可寻址能力
温度控制的刷新
ODT
动态ODT
2 t时机
写作水平校准
界面逻辑 本地或阿喜 本地或阿喜
发展类金融机构兼容 是的 是的
多模控制器支持 是的 是的
附加的核心 多口前端
重新排序
ECC
多口前端
重新排序
ECC

DDR PHY IP

功能 DDR4 PHY DDR4综合体育 DDR3 PHY
数据速率(吨/ s) 3200 2400 2133
控制器接口 发展类金融机构4.0和3.1 3.1发展类金融机构 3.1发展类金融机构
自动初始化(PHY独立模式) 是的 是的 是的
通道宽度 x16, x72 x4, x32 x16, x72
选择低功耗操作状态 是的 是的 是的
可编程输出阻抗和on-die终止 是的 是的 是的
ZQ校准输出阻抗和on-die终止 是的 是的 是的
包选项 Package-on-package C4倒装芯片 Package-on-package C4倒装芯片 C4倒装芯片
金属栈 8、13层 8层 8层
注册界面状态的观察 是的 是的 是的
测试流量生成和错误检查现场测试 - - - - - - 是的 是的
LabStation™软件环境对系统级启动、表征和验证 是的 是的 是的
片上电源噪声监测可选插件的核心 是的 是的 是的

完成DDR4内存子系统的解决方案

Rambus DDR4内存子系统提供业界领先的数据率高达3200 Mbps和兼容DDR4 DDR3标准。PHY由命令/地址(C / a)宏单元和数据(DQ)宏观细胞配置为创建一个72位宽的通道。

Rambus DDR4控制器通过有预见性的命令处理内存总线效率最大化,银行管理,auto-precharge和添加剂延迟的支持。核心发展类金融机构兼容,支持一系列的用户接口逻辑。

DDR4内存接口子系统
DDR4内存接口子系统

Rambus DDR4控制器层和物理层一起使用,组成一个完整的DDR4内存接口子系统。另外,这些核心可以单独许可搭配3理查德·道金斯方DDR4控制器或PHY解决方案。

Rambus标志
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