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DDR3 PHY

Rambus DDR3内存PHY优化应用程序要求降低系统成本、提高性能和更快的上市时间。与Rambus DDR3控制器它包括一个完整的DDR3内存接口子系统。

DDR3接口子系统是如何运作的吗

Rambus DDR3内存PHY完全兼容DDR3在1.5 v和DDR3L 1.35 v和可扩展到2133 mbps。的体育经历了广泛的替代SOC设计阶段建模和仿真,包和PCB环境轻松实现,使first-time-right设计。

DDR3控制器通过有预见性的命令处理内存总线效率最大化,银行管理,auto-precharge和添加剂延迟的支持。核心发展类金融机构兼容,支持一系列的用户接口逻辑。

DDR3内存接口子系统
DDR3内存接口子系统

Rambus DDR3 PHY和DDR3控制器一起使用组成一个完整的DDR3内存接口子系统。另外,这些核心可以单独许可搭配3理查德·道金斯方DDR3控制器或PHY解决方案。

解决方案产品

看网络研讨会

人工智能记忆系统和先进的应用程序

由于计算的迅速发展,刺激了巨大的增长在人工智能神经网络的广泛应用。了解内存体系结构和他们的相对优势,人工智能革命的核心。

协议的兼容性

协议 数据速率(Gbps) 应用程序
DDR3 (1.5 v) 1600 - 2133 物联网,边缘
DDR3L (1.35 v) 1600 - 1866 物联网,边缘

发明

FlexPhase™时机调整电路

FlexPhase每一点时间调整电路抗扭斜数据和时钟信号,提高信号的完整性和简化包和PCB系统设计。

输出驱动校准

输出驱动校准SoC设计师可以调整输出信号最优水平以提高数据速率和系统电压幅度。

在死亡终止校准

ODT校准支持更高的数据速率和优越的DRAM设备和模块的性能通过建立最优终止价值补偿的变化过程和操作条件,降低信号的性能。

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