DDR4数据缓冲区

为了满足实时的要求要求,内存密集型应用程序,DB提供增强的性能和保证金在2400 Mbps的内置支持未来的数据传输速率高达2666 Mbps。这允许的最高速度和健壮的操作当多个LRDIMMs填充内存通道最高的系统能力。

iDDR4DB2-GS02双重4比特双向数据寄存器与微分闪光灯是专为1.2 V低VDD操作。该设备具有双重4比特主机总线接口,连接到一个内存控制器和一个双4比特DRAM接口,连接到两个x4后发展出。它也有一个handlder程序控制总线接口,连接到一个DDR4登记。这个接口包含一个4比特控制总线,两个专用的控制信号,一个参考电压输入和一个微分时钟输入。

所有DQ输入pseudo-differential内部参考电压。VDD终止所有DQ输出驱动优化驱动单或双终止痕迹DDR4 LRDIMM应用程序。微分DQ闪光灯用于样本DQ输入和再生在DDR4 DB驾驶的DQ输出设备的另一侧。

时钟输入BCK_t和BCK_c用于样品控制输入BCOM(握)BCKE BODT。(握)BCOM输入用于编写设备内部控制寄存器。

iDDR4DB2-GS02还支持专用针ZQ校准和奇偶校验错误警报。