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DDR4数据缓冲区

从Inphi DDR4数据缓冲区,收购,是建立为实时提供强劲的性能,内存密集型应用程序,提供领先的I / O性能和保证金。兼容DDR4 LRDIMMs,数据缓冲区是理想的高性能、高容量企业和数据中心系统。

DDR4数据缓冲区是如何工作的

增加内存容量和性能是解决今天的复杂问题的关键与巨大的数据集和加速大数据的应用程序。

当结合DDR4寄存器时钟驱动(RCD),iDDR4RCD-GS02,我们DDR4数据缓冲区(DB), iDDR4DB2-GS02,最近从Inphi获得,使DDR4负载双内联减少内存模块(LRDIMMs)提供高带宽性能与容量的两倍DDR4注册dimm (RDIMMs)。

为了满足实时的要求要求,内存密集型应用程序,DB提供增强的性能和保证金在2400 Mbps的内置支持未来的数据传输速率高达2666 Mbps。这允许的最高速度和健壮的操作当多个LRDIMMs填充内存通道最高的系统能力。

iDDR4DB2-GS02双重4比特双向数据寄存器与微分闪光灯是专为1.2 V低VDD操作。该设备具有双重4比特主机总线接口,连接到一个内存控制器和一个双4比特DRAM接口,连接到两个x4后发展出。它也有一个handlder程序控制总线接口,连接到一个DDR4登记。这个接口包含一个4比特控制总线,两个专用的控制信号,一个参考电压输入和一个微分时钟输入。

所有DQ输入pseudo-differential内部参考电压。VDD终止所有DQ输出驱动优化驱动单或双终止痕迹DDR4 LRDIMM应用程序。微分DQ闪光灯用于样本DQ输入和再生在DDR4 DB驾驶的DQ输出设备的另一侧。

时钟输入BCK_t和BCK_c用于样品控制输入BCOM(握)BCKE BODT。(握)BCOM输入用于编写设备内部控制寄存器。

iDDR4DB2-GS02还支持专用针ZQ校准和奇偶校验错误警报。

数据中心的进化:DDR5整体推进服务器性能

数据中心的进化:DDR5 dimm提升服务器性能

融合大趋势的推动下,全球数据流量增加以指数的速度。例如,5 g网络使数十亿AI-powered物联网设备脱离有线网络。没有所有这些增长感受到更强烈的影响比在数据中心。事实上,超大型数据中心已成为全球数据网络的关键枢纽。DDR5 DRAM将使下一代服务器系统提供超大型的大规模计算能力和企业数据中心。学习的好处DDR5内存和实现DDR5 dimm的设计考虑。

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高速存储器接口芯片让服开云体育网址登录网页务器性能飞

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对服务器性能的要求继续以惊人的速度增加。新需求的大内存数据库驱动到达今天的云服务和先进的分析工具就像摩尔定律的影响开始缓慢。一个关键新机遇是为高速服务器内存接口芯片,使高速内存性能不影响内存的能力。开云体育网址登录网页公司希望优化服务器内存体系结构设计,并改善他们的服务器的整体性能和可靠性,应认真考虑优化DDR4内存接口芯片,提高服务器内存模块的性能。开云体育网址登录网页

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